PCB厂北京大学沈波、许福军团队针对大失配异质外延导致氮化物宽禁带半导体高缺陷密度的难题，创新发展了一种基于纳米图形化AlN/蓝宝石模板的“可控离散和可控聚合”侧向外延方法，使蓝宝石衬底上AlN外延薄膜位错腐蚀坑密度大幅降低了两个量级，至~104cm-2，实现了接近衬底级晶体质量的AlN外延薄膜，并应用于相关器件研制。

该成果发表于《自然·材料》杂志（Nature Materials, 2023, 22: 853–859）。

中国科学院半导体研究所李明研究员-祝宁华院士团队借助空-时变换结合波分复用技术，采用多模干涉机理，成功研制了一款超高集成度光学卷积处理芯片，创造了目前光计算芯片最高算力密度记录，该芯片调控单元数量随矩阵规模呈线性增长，有效缓解了光计算芯片规模扩展的难题，为解决光计算芯片大规模集成探索了一个新的方向。

该成果发表于《自然·通信》杂志（Nature Communications, 2023, 14: 3000）。