电路板绝缘层之间栓孔下孔的开孔方式可分为机械钻孔、镭射钻孔和光蚀刻制程三种。由于机械钻孔无法形成盲孔，因此在此便不再加以细述，但是到底要如何选择以镭射钻孔或是光蚀刻方式来进行开孔制程呢？利用镭射钻孔的例子很多，因此一直是形成栓孔下孔的主要方法之一。

1981年开始生产的热导模组（TCM），内层的核心部分使用CO2镭射开出100um的贯穿孔。如图1.2的TCM，1985年在陶瓷基板表面形成铜和聚亚醯胺的增层层，并利用准分子镭射开出50um孔径的栓孔。这个镭射装置，使用特殊透镜可以一次在cm²的面积内进行开孔工作。由于利用镭射钻孔确实有他的优点，因此一开始增层层的栓孔制程便以镭射为主。而且利用准分子镭射开孔的形状非常漂亮不会有原本镭射开孔形状不能符合要求的缺点。

但是随着电路板栓孔孔径要求越来越小而且密度越来越高的情形下，是否要在工厂中购置数十台镭射加工机台来进行生产的方式便引起广泛的讨论。而且要达到像半导体晶片一样的高密度线路，利用镭射加工方式是无法这样的要求的。因此最理想的方式还是以光蚀刻的方式来进行开孔。