蚀刻是利用化学反应方法将PCB显影区域的露铜剥离形成所需电路图形的过程。酸性CuCl2蚀刻液是一种常见的用于抗蚀剂为抗蚀干膜、抗蚀印料、液态感光印料、金镀层的蚀刻药水。

工艺参数对蚀刻速率的影响

1.1氯化铜浓度对蚀刻速率的影响
选取盐酸浓度2.0mol/L，氯化钾浓度14g/L，氯酸钠20g/L，添加剂浓度为14g/L，操作温度为50℃，改变氯化铜浓度。考察了不同氯化铜浓度对蚀刻速率的影响，影响结果如图1所示。

图1 氯化铜浓度对蚀刻速率的影响

从图1中可知，当氯化铜质量浓度小于200g/L时，蚀刻速率随浓度增加而急剧增大；当氯化铜质量浓度为200g/L时，蚀刻速率出现最大值，为14.42μm/min；随着氯化铜质量浓度的进一步增加，刻蚀速率先有所降低。因此，最佳氯化铜质量浓度为200g/L左右。

1.2Cu+浓度对蚀刻速率的影响
选取氯化铜浓度为200g/L，盐酸浓度2.0mol/L，氯化钾浓度14g/L，氯酸钠20g/L，添加剂浓度为14g/L，操作温度为50℃。考察了不同Cu+浓度对蚀刻速率的影响，影响结果如图2所示。

图2 Cu+浓度对蚀刻速率的影响